| 发明名称 |
PROCEDE DE CROISSANCE EPITAXIALE A TEMPERATURE HOMOGENE ET BASSE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
FR2344123(A1) |
申请公布日期 |
1977.10.07 |
| 申请号 |
FR19760006832 |
申请日期 |
1976.03.10 |
| 申请人 |
LABO ELECTRONIQUE PHYSIQUE APPLI |
发明人 |
JEAN HALLAIS |
| 分类号 |
C30B25/02;C30B25/14;C30B29/40;H01L21/205;(IPC1-7):H01L21/00 |
主分类号 |
C30B25/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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