发明名称 MANUFACTURE OF JUNCTION GATE TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR
摘要
申请公布号 JPS52109375(A) 申请公布日期 1977.09.13
申请号 JP19760025785 申请日期 1976.03.10
申请人 NIPPON ELECTRIC CO 发明人 TOUSAKA ASAMITSU
分类号 H01L29/80;H01L21/24;H01L21/302;H01L21/338;H01L29/417;H01L29/47;H01L29/812;H01L29/872 主分类号 H01L29/80
代理机构 代理人
主权项
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