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发明名称 PROCEDE D'ISOLEMENT ENTRE REGIONS D'UN DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR ET DISPOSITIF AINSI OBTENU
摘要
申请公布号 FR2341201(A1) 申请公布日期 1977.09.09
申请号 FR19760004169 申请日期 1976.02.16
申请人 RADIOTECHNIQUE COMPELEC 发明人 MICHEL DE BREBISSON
分类号 C30B19/00;C30B25/18;C30B31/22;H01L21/205;H01L21/74;H01L21/76;H01L21/762;(IPC1-7):H01L21/76 主分类号 C30B19/00
代理机构 代理人
主权项
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