发明名称 SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要 PURPOSE:To improve remarkably withstand voltage by installing ring-formed field limiting layer in domain on the surface of semiconductor element having exposed side to which reverse bias is applied.
申请公布号 JPS52106687(A) 申请公布日期 1977.09.07
申请号 JP19760023301 申请日期 1976.03.05
申请人 HITACHI LTD 发明人 TOKI HISASHI
分类号 H01L29/73;H01L21/331;H01L29/06;H01L29/74;H01L29/861 主分类号 H01L29/73
代理机构 代理人
主权项
地址