发明名称 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER MONOLITHISCH INTEGRIERTEN HALBLEITERSCHALTUNG MIT EINEM JUNCTION-FELDEFFEKTTRANSISTOR UND EINEM KOMPLEMENTAEREN MIS-FELDEFFEKTTRANSISTOR
摘要
申请公布号 DE2537559(B2) 申请公布日期 1977.09.01
申请号 DE19752537559 申请日期 1975.08.22
申请人 发明人
分类号 H01L27/092;H01L21/265;H01L21/266;H01L21/8238;H01L27/085;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/72 主分类号 H01L27/092
代理机构 代理人
主权项
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