METHOD OF EPITAXIALLY GROWING SILICON CARBIDE,申请号CAD786296-传众专利搜索

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法人/股东/高管

发明名称	METHOD OF EPITAXIALLY GROWING SILICON CARBIDE
摘要
申请公布号	CA786296(A)	申请公布日期	1968.05.28
申请号	CAD786296	申请日期
申请人	INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION	发明人	WERNER SPIELMANN;EKKEHARD EBERT
分类号		主分类号
代理机构		代理人
主权项
地址

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