发明名称 SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要 PURPOSE:To improve mutual conductances by providing a second source region within a gate region and controlling the source potential of a conventional FET with the current controlled by this electrode.
申请公布号 JPS5299788(A) 申请公布日期 1977.08.22
申请号 JP19760016033 申请日期 1976.02.18
申请人 HITACHI LTD 发明人 OKABE TAIAKI;YOSHIDA ISAO;OCHI SHIKAYUKI
分类号 H01L29/08;H01L29/78 主分类号 H01L29/08
代理机构 代理人
主权项
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