发明名称 FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH A FERROELECTRIC CONTROL GATE LAYER
摘要
申请公布号 US3426255(A) 申请公布日期 1969.02.04
申请号 USD3426255 申请日期 1966.06.29
申请人 SIEMENS AG. 发明人 WALTER HEYWANG
分类号 H01L29/00;H01L29/22;H01L29/47;H01L29/772;H01L29/78;(IPC1-7):H01L11/14 主分类号 H01L29/00
代理机构 代理人
主权项
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