| 发明名称 |
CIRCUIT COMPRISED OF INSULATED GATE FIELD EFFECT TRANSISTORS |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
GB1483068(A) |
申请公布日期 |
1977.08.17 |
| 申请号 |
GB19740033525 |
申请日期 |
1974.07.30 |
| 申请人 |
TOKYO SHIBAURA ELECTRIC CO LTD |
发明人 |
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| 分类号 |
G11C19/18;G21D3/06;H03K19/096;H03K23/44;(IPC1-7):H03K19/08 |
主分类号 |
G11C19/18 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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