发明名称 |
MIS SEMICONDUCTOR UNIT |
摘要 |
PURPOSE:To obtain the semiconductor unit such as MISIC, C-MIS and high pressure-proof MIS transistor by using the manufacturing process of MOSIC in LOCOS structure. |
申请公布号 |
JPS5295185(A) |
申请公布日期 |
1977.08.10 |
申请号 |
JP19760011462 |
申请日期 |
1976.02.06 |
申请人 |
HITACHI LTD |
发明人 |
MEGURO REI;KOSA YASUNOBU;NAGASAWA KOUICHI |
分类号 |
H01L27/04;H01L21/336;H01L21/822;H01L27/088;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L27/04 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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