发明名称 MIS SEMICONDUCTOR UNIT
摘要 PURPOSE:To obtain the semiconductor unit such as MISIC, C-MIS and high pressure-proof MIS transistor by using the manufacturing process of MOSIC in LOCOS structure.
申请公布号 JPS5295185(A) 申请公布日期 1977.08.10
申请号 JP19760011462 申请日期 1976.02.06
申请人 HITACHI LTD 发明人 MEGURO REI;KOSA YASUNOBU;NAGASAWA KOUICHI
分类号 H01L27/04;H01L21/336;H01L21/822;H01L27/088;H01L29/78 主分类号 H01L27/04
代理机构 代理人
主权项
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