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发明名称
SEMICONDUCTOR MEMORY UNIT
摘要
PURPOSE:To make easy the detection of the number of carriers in the floating gate, to shorten the write-in time, and to enable the erasing of electrical memory, by a memory transistor using 3 layered electrode constitution.
申请公布号
JPS5292441(A)
申请公布日期
1977.08.03
申请号
JP19760008392
申请日期
1976.01.30
申请人
TOKYO SHIBAURA ELECTRIC CO
发明人
IIZUKA HISAKAZU
分类号
H01L21/8247;G11C11/404;H01L29/788;H01L29/792
主分类号
H01L21/8247
代理机构
代理人
主权项
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