发明名称 SOLID STATE IONIZATION CHAMBER OF SILICON PN-JUNCTION TYPE
摘要
申请公布号 US4039808(A) 申请公布日期 1977.08.02
申请号 US19750635778 申请日期 1975.11.26
申请人 JAPAN ATOMIC ENERGY RESEARCH INSTITUTE 发明人 TANAKA, RYUICHI;TAJIMA, SATOSHI;USAMI, AKIRA;YOKOYAMA, MITSUTAKA
分类号 G01T1/24;H01L31/09;H01L31/10;H01L31/115;(IPC1-7):G01T1/24 主分类号 G01T1/24
代理机构 代理人
主权项
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