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发明名称
SOLID STATE IONIZATION CHAMBER OF SILICON PN-JUNCTION TYPE
摘要
申请公布号
US4039808(A)
申请公布日期
1977.08.02
申请号
US19750635778
申请日期
1975.11.26
申请人
JAPAN ATOMIC ENERGY RESEARCH INSTITUTE
发明人
TANAKA, RYUICHI;TAJIMA, SATOSHI;USAMI, AKIRA;YOKOYAMA, MITSUTAKA
分类号
G01T1/24;H01L31/09;H01L31/10;H01L31/115;(IPC1-7):G01T1/24
主分类号
G01T1/24
代理机构
代理人
主权项
地址
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