发明名称 NONVOLATILE BIPOLAR STORAGE CIRCUIT
摘要 PURPOSE:To obtain nonvolatile bipolar storage circuit enabled to operate more speedy than MNOS nonvolatile bipolar semiconductor memory.
申请公布号 JPS5290236(A) 申请公布日期 1977.07.29
申请号 JP19760005866 申请日期 1976.01.23
申请人 TOKYO SHIBAURA ELECTRIC CO 发明人 NISHI YOSHIO;SHINOZAKI SATOSHI
分类号 G11C14/00;H01L21/8247;H01L29/788;H01L29/792 主分类号 G11C14/00
代理机构 代理人
主权项
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