| 发明名称 |
FOUR ELECTRODES FET TRANSISTOR |
| 摘要 |
PURPOSE:To minimize fluctuation of dimension of pinch resistor and to improve FET characteristics by defining the dimension of pinch resistor on a pice of photomask. |
| 申请公布号 |
JPS5289475(A) |
申请公布日期 |
1977.07.27 |
| 申请号 |
JP19760004927 |
申请日期 |
1976.01.21 |
| 申请人 |
HITACHI LTD |
发明人 |
OKABE TAIAKI;YOSHIDA ISAO;OCHI SHIKAYUKI |
| 分类号 |
H01L27/07;H01L29/06;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L27/07 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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