发明名称 SEMIICONDUCTOR MEMORY
摘要 <p>PURPOSE:To emit trapped electrons using electric field radiation by applying high voltage on gate, and to securely erase memory contents with the merit of largescale integration maintained.</p>
申请公布号 JPS5284931(A) 申请公布日期 1977.07.14
申请号 JP19760001122 申请日期 1976.01.08
申请人 TOKYO SHIBAURA ELECTRIC CO 发明人 ISHIKAWA MITSUAKI
分类号 G11C17/00;G11C16/04;H01L21/8247;H01L29/788;H01L29/792 主分类号 G11C17/00
代理机构 代理人
主权项
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