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发明名称
SEMIICONDUCTOR MEMORY
摘要
<p>PURPOSE:To emit trapped electrons using electric field radiation by applying high voltage on gate, and to securely erase memory contents with the merit of largescale integration maintained.</p>
申请公布号
JPS5284931(A)
申请公布日期
1977.07.14
申请号
JP19760001122
申请日期
1976.01.08
申请人
TOKYO SHIBAURA ELECTRIC CO
发明人
ISHIKAWA MITSUAKI
分类号
G11C17/00;G11C16/04;H01L21/8247;H01L29/788;H01L29/792
主分类号
G11C17/00
代理机构
代理人
主权项
地址
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