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发明名称 DURABLE FET SEMICONDUCTOR MEMORY STRUCTURE USING ION IMPLANTATION TO INDUCE SUPPLEMENTARY STATE
摘要
申请公布号 JPS5283076(A) 申请公布日期 1977.07.11
申请号 JP19760156626 申请日期 1976.12.27
申请人 HUGHES AIRCRAFT CO 发明人 ERIYAO HARARI
分类号 H01L21/8247;H01L21/28;H01L21/3115;H01L29/788;H01L29/792 主分类号 H01L21/8247
代理机构 代理人
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