发明名称 REPAIRING METHOD FOR SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENTS
摘要 <p>PURPOSE:To repair the defective parts of elements on the same substrate by preparing a mask for one element, and using negative photoresist for photoresist mask flaws and positive photoresist for metal wiring disconnection.</p>
申请公布号 JPS5279678(A) 申请公布日期 1977.07.04
申请号 JP19750154704 申请日期 1975.12.26
申请人 FUJITSU LTD 发明人 ABE SHIGEHARU;SUDA SATOSHI;TAMURA HIDEO
分类号 H01L21/3205;G03F1/00;G03F1/08;H01L21/027;H01L21/302;H01L23/52 主分类号 H01L21/3205
代理机构 代理人
主权项
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