| 发明名称 |
PROCEDE PERFECTIONNE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
FR2334206(A1) |
申请公布日期 |
1977.07.01 |
| 申请号 |
FR19760036576 |
申请日期 |
1976.12.03 |
| 申请人 |
TOKYO SHIBAURA ELECTRIC CO LTD |
发明人 |
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| 分类号 |
H01L29/73;H01L21/314;H01L21/316;H01L21/32;H01L21/329;H01L21/331;H01L21/76;(IPC1-7):H01L21/94 |
主分类号 |
H01L29/73 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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