| 发明名称 |
DOPING SEMICONDUCTORS WITH ELEMENTAL DOPANT IMPURITY |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
US3576685(A) |
申请公布日期 |
1971.04.27 |
| 申请号 |
USD3576685 |
申请日期 |
1968.03.15 |
| 申请人 |
INTERNATIONAL TELEPHONE AND TELEGRAPH CORP. |
发明人 |
RICHARD C.G. SWANN;THOMAS P. CAUGE |
| 分类号 |
C23C16/50;C23C16/34;C23F1/02;H01L21/00;H01L21/225;H01L23/29;(IPC1-7):H01L7/36;H01L7/54 |
主分类号 |
C23C16/50 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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