发明名称 DYNAMIC SHIFT REGISTER USING INSULATED GATE FET TRANSISTOR
摘要 This dynamic two-phase clocked MOS shift register delivers the shifted signal in a non-inverted manner after half the clock pulse period and consists of six MOSFETs per stage.
申请公布号 JPS5275943(A) 申请公布日期 1977.06.25
申请号 JP19760146065 申请日期 1976.12.04
申请人 ITT 发明人 MANFURETSUDO FURITSUTSU URURITSUHI
分类号 G11C19/28;G11C19/00;G11C19/18 主分类号 G11C19/28
代理机构 代理人
主权项
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