发明名称 Verfahren zum Herstellen von diffundierten Halbleiterbauelementen aus Silicium
摘要
申请公布号 CH519788(A) 申请公布日期 1972.02.29
申请号 CH19690018694 申请日期 1969.12.16
申请人 SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT 发明人 WOELFLE,RUDOLF,DIPL.-PHYS.;DR. RUECKER,DIETER,DIPL.-PHYS.;LAUERER,UTA
分类号 H01L29/73;C30B31/02;H01L21/225;H01L21/288;H01L21/331;(IPC1-7):H01L7/34 主分类号 H01L29/73
代理机构 代理人
主权项
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