| 发明名称 |
WERKWIJZE VOOR HET NEERSLAAN VAN EEN MONOKRISTALLIJNE FILM VAN GAAS1-*P* OP EEN SUBSTRAAT VAN GAAS, GAP OF GE. |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
NL153098(B) |
申请公布日期 |
1977.05.16 |
| 申请号 |
NL19720005943 |
申请日期 |
1972.05.03 |
| 申请人 |
MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL COMPANY, LIMITED, KADOMA, JAPAN. |
发明人 |
|
| 分类号 |
H05B33/14;(IPC1-7):B01J17/32;H01L21/20 |
主分类号 |
H05B33/14 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
