PROCEDE DE FABRICATION DE DISPOSITIFS A SEMICONDUCTEURS, PRESENTANT UNE TRES FAIBLE RESISTANCE THERMIQUE, ET DISPOSITIFS OBTENUS PAR LEDIT PROCEDE,申请号FR19750031411-传众专利搜索

发明名称	PROCEDE DE FABRICATION DE DISPOSITIFS A SEMICONDUCTEURS, PRESENTANT UNE TRES FAIBLE RESISTANCE THERMIQUE, ET DISPOSITIFS OBTENUS PAR LEDIT PROCEDE
摘要
申请公布号	FR2328286(A1)	申请公布日期	1977.05.13
申请号	FR19750031411	申请日期	1975.10.14
申请人	THOMSON CSF	发明人	RAYMOND HENRY ET JEAN-VICTOR BOUVET;BOUVET JEAN-VICTOR
分类号	H01L23/045;H01L23/36;H01L23/66;(IPC1-7):H01L21/48;H01L23/34	主分类号	H01L23/045
代理机构		代理人
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