发明名称 VERFAHREN ZUR IONENIMPLANTATION IN HALBLEITERSUBSTRATE
摘要
申请公布号 DE2649134(A1) 申请公布日期 1977.05.12
申请号 DE19762649134 申请日期 1976.10.28
申请人 SONY CORP. 发明人 KUBOTA,HIDEO;HAYASHI,YASUO;OKAZAKI,NOBUMICHI;WATANABE,SEIICHI
分类号 H01L21/265;H01L29/36;H01L29/93;(IPC1-7):H01L21/265;H01L21/425 主分类号 H01L21/265
代理机构 代理人
主权项
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