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经营范围
发明名称
IMPURITY DOPING METHOD FOR GALLIUM ARSENIDE VAPOR PHASE GROWN CRYSTAL
摘要
申请公布号
JPS5255378(A)
申请公布日期
1977.05.06
申请号
JP19750130679
申请日期
1975.10.30
申请人
NIPPON ELECTRIC CO
发明人
MIZUNO OSAMU
分类号
C30B25/02;C30B29/42;H01L21/205
主分类号
C30B25/02
代理机构
代理人
主权项
地址
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