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发明名称
VERFAHREN ZUM HERSTELLEN VON HOMOGEN-PHOSPHORDOTIERTEM EINKRISTALLINEM SILICIUM DURCH NEUTRONENBESTRAHLUNG
摘要
申请公布号
DE2519527(B2)
申请公布日期
1977.05.05
申请号
DE19752519527
申请日期
1975.05.02
申请人
发明人
分类号
C01B33/02;C30B13/08;C30B15/04;C30B29/06;C30B31/20;H01L21/208;H01L21/261;(IPC1-7):B01J17/34
主分类号
C01B33/02
代理机构
代理人
主权项
地址
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