| 发明名称 |
METHOD OF FORMING VAPOR PHASE EPITAXIAL FORMATION LAYER OF GALLIUM ARS ENIDE FOR GUNN DIODE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPS5254382(A) |
申请公布日期 |
1977.05.02 |
| 申请号 |
JP19750130235 |
申请日期 |
1975.10.29 |
| 申请人 |
TOKYO SHIBAURA ELECTRIC CO |
发明人 |
KIKUCHI TOSHIROU;ISHIDA KAZUJI |
| 分类号 |
H01L47/02;H01L21/20;H01L21/205 |
主分类号 |
H01L47/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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