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发明名称
METHOD FOR VAPOR GROWTH OF SEMICONDUCTOR CRYSTAL
摘要
PURPOSE:To let an epitaxial layer of a uniform thickness grow in vapor phase on a large diameter substrate, by tilting the substrate 15-45 degrees on the raw material side in a reaction tube.
申请公布号
JPS5248466(A)
申请公布日期
1977.04.18
申请号
JP19750124725
申请日期
1975.10.16
申请人
SONY CORP
发明人
MORI YOSHIFUMI
分类号
C30B25/12;C23C16/458;C30B29/40;H01L21/205
主分类号
C30B25/12
代理机构
代理人
主权项
地址
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