发明名称 |
BAIN POUR MISE EN OEUVRE D'UN PROCEDE DE FORMATION D'UN REVETEMENT ISOLANT SUR UN CORPS EN UN MATERIAU SEMI-CONDUCTEUR |
摘要 |
L'INVENTION CONCERNE UN BAIN POUR MISE EN OEUVRE D'UN PROCEDE DE FORMATION D'UN REVETEMENT ISOLANT SUR UN CORPS EN UN MATERIAU SEMI-CONDUCTEUR PAR DEPOT PAR ELECTROPHORESE SUR CE CORPS D'UN MATERIAU NON CONDUCTEUR EN SUSPENSION DANS CE BAIN.ELLE EST CARACTERISEE PAR LE FAIT QUE LE BAIN CONTIENT UN SOLVANT ORGANIQUE POLAIRE, UNE AMINE ET UN ACIDE HALOGENHYDRIQUE DANS DES PROPORTIONS TELLES QUE LE PH DE LA SOLUTION AINSI OBTENUE SOIT COMPRIS ENTRE 4 ET 10.L'INVENTION S'APPLIQUE A LA PREPARATION DES SEMI-CONDUCTEURS. |
申请公布号 |
FR2436827(A1) |
申请公布日期 |
1980.04.18 |
申请号 |
FR19790023532 |
申请日期 |
1979.09.21 |
申请人 |
SGS ATES COMPONENTI ELETTRONICI |
发明人 |
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分类号 |
C25D13/02;H01L21/56;H01L23/29;(IPC1-7):C25D13/02;H01L21/31 |
主分类号 |
C25D13/02 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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