发明名称 MANUFACTURING METHOD OF FIELD EFFECT TRANSISTOR OF SILICON GATE TYPE
摘要
申请公布号 JPS5245282(A) 申请公布日期 1977.04.09
申请号 JP19760084993 申请日期 1976.07.19
申请人 TOKYO SHIBAURA ELECTRIC CO 发明人 KOBAYASHI NORIO;KATOU SATOSHI;YONEYAMA TERUO
分类号 H01L29/78;H01L21/283;H01L21/31;H01L21/322;H01L21/336 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
主权项
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