发明名称 |
MANUFACTURING METHOD OF FIELD EFFECT TRANSISTOR OF SILICON GATE TYPE |
摘要 |
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申请公布号 |
JPS5245282(A) |
申请公布日期 |
1977.04.09 |
申请号 |
JP19760084993 |
申请日期 |
1976.07.19 |
申请人 |
TOKYO SHIBAURA ELECTRIC CO |
发明人 |
KOBAYASHI NORIO;KATOU SATOSHI;YONEYAMA TERUO |
分类号 |
H01L29/78;H01L21/283;H01L21/31;H01L21/322;H01L21/336 |
主分类号 |
H01L29/78 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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