发明名称 PROCESS FOR PRODUCTION OF P CHANNEL SILICON GATE MIS TYPE SEMICONDUCTO R DEVICE
摘要
申请公布号 JPS5243375(A) 申请公布日期 1977.04.05
申请号 JP19750117700 申请日期 1975.10.01
申请人 HITACHI LTD 发明人 AZUMA TAKASHI;ANSAI NORIO;SHIRASU TATSUMI;KUKI YASUKI;MEGURO SATOSHI
分类号 H01L21/336;H01L21/22;H01L29/78 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
主权项
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