| 摘要 |
<p>Ce procédé, destiné à former un circuit intégré dans lequel les grilles des composants ne s'étendent pas au-dessus des isolations électriques, consiste à recouvrir un substrat semiconducteur (30) d'une couche (32) d'un premier matériau isolant, à déposer sur la couche de premier matériau une couche (34) d'un second matériau ou semiconducteur dans laquelle seront rélisées les grilles (34a) des composants actifs, à réaliser l'oxyde de champ (46a) du circuit servant à isoler électriquement les composants actifs les uns des autres, à réaliser les grilles (34a) des composants actifs, à réaliser les sources (57) et les drains (59) des composants par un premier dopage du substrat (30), ce premier dopage ayant une conductivité de type inverse de celle du substrat (30), à réaliser des bords isolants (58a) sur les flancs des grilles (34a) des composants, et à réaliser les contacts électriques et les connexions (62, 64, 70) du circuit.</p> |
