首页 产品 黄页 商标 征信
会员服务 注册 登录 
全部
 |
企业名
 |
法人/股东/高管
 |
品牌/产品
 |
地址
 |
经营范围
发明名称 METHOD OF FORMING POROUS SILICON LAYER
摘要
申请公布号 JPS5240985(A) 申请公布日期 1977.03.30
申请号 JP19750116993 申请日期 1975.09.26
申请人 MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD 发明人 TOMIOKA TATSUYUKI;YUIGAMI NOBORU;HATSUTORI KOUDOU;YAMASHITA KIYOHARU
分类号 H01L21/76;H01L21/306;H01L21/3063 主分类号 H01L21/76
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利
©  2024 传众  czvv.com