发明名称 SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要 PURPOSE:Injection efficiency of emitter junction is controlled by gate voltage, so that both improvement of thyristor characteristics and expansion of thyristor function are ensured.
申请公布号 JPS5235586(A) 申请公布日期 1977.03.18
申请号 JP19750111306 申请日期 1975.09.12
申请人 MITSUBISHI ELECTRIC CORP 发明人 NAKADA TAKESUKE
分类号 H01L21/8249;H01L27/06;H01L29/74;H01L29/749;H01L29/78 主分类号 H01L21/8249
代理机构 代理人
主权项
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