| 发明名称 |
SEMICONDUCTOR UNIT |
| 摘要 |
PURPOSE:In SBG-FET, to obtain optimum thickness of the effective channel layer by setting PN junction on the base plate bottom to enable applying nias current. |
| 申请公布号 |
JPS5230178(A) |
申请公布日期 |
1977.03.07 |
| 申请号 |
JP19750105900 |
申请日期 |
1975.09.03 |
| 申请人 |
HITACHI LTD |
发明人 |
MIYAZAKI MASARU;DOI KOUNEN;UTAKA MASATOSHI |
| 分类号 |
H01L29/80;H01L21/338;H01L27/06;H01L29/812 |
主分类号 |
H01L29/80 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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