| 发明名称 |
SEMICONDUCTOR UNIT PRODUCING SYSTEM |
| 摘要 |
PURPOSE:To reduce directional voltage drop of Shottky barrier diode, through serting switable inpurity density layer below multiple crystal Si layer. |
| 申请公布号 |
JPS5221780(A) |
申请公布日期 |
1977.02.18 |
| 申请号 |
JP19750097847 |
申请日期 |
1975.08.11 |
| 申请人 |
FUJITSU LTD |
发明人 |
INAYOSHI KATSUYUKI |
| 分类号 |
H01L27/06;H01L21/265;H01L21/331;H01L21/76;H01L21/8222;H01L29/47;H01L29/73;H01L29/872 |
主分类号 |
H01L27/06 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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