| 发明名称 |
VERFAHREN ZUM HERSTELLEN VON HOMOGEN DOTIERTEN SILIZIUMEINKRISTALLEN MIT P-LEITFAHIGKEIT |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
ATA667874(A) |
申请公布日期 |
1977.02.15 |
| 申请号 |
AT19740006678 |
申请日期 |
1974.08.14 |
| 申请人 |
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT |
发明人 |
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| 分类号 |
G21G1/06;C30B31/20;G21K5/00;H01L21/261;H01L29/04;(IPC1-7):B01J17/40 |
主分类号 |
G21G1/06 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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