发明名称 与标准CMOS电路相集成的波导结构及其制作方法
摘要 提供了波导结构和制作用于传送光信号的波导的方法。波导结构是通过使用标准CMOS制造操作过程被制成的,并与具有数字CMOS电路的同一个芯片集成在一起。制作波导的示例的方法包括形成一个穿过介质层向下到基片的接触孔,以及用第一金属化涂层涂覆接触孔的侧壁。然后用介质材料填充接触孔。局部波导结构被形成在接触孔的第一金属化涂层和介质材料上。由波导介质结构和被规定在波导介质上的第二金属化涂层规定了局部波导结构。第三金属化涂层被形成来规定隔板连同局部波导结构的侧壁,第一金属化涂层和第二金属化涂层。第三金属化涂层被配置成完成被填充以波导介质材料的波导结构。然后,光信号可以传播通过波导结构,以及与其它CMOS数字电路相接口。
申请公布号 CN1371483A 申请公布日期 2002.09.25
申请号 CN00806251.X 申请日期 2000.11.02
申请人 皇家菲利浦电子有限公司 发明人 M·米舍洛夫;S·波斯拉;C·T·加布里尔;M·维林
分类号 G02B6/43;G02B6/12 主分类号 G02B6/43
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 罗朋;梁永
主权项 1.用于通过实施CMOS制造过程来制作波导结构的方法,方法包括:提供基片,具有被制造在其上的多个有源设备和重叠的氧化物层;规定了一个穿过氧化物层的接触孔,用来规定向下到基片的路径;在氧化物层上和在接触孔内淀积第一金属化涂层;在接触孔的基底处去除第一金属化涂层,以便规定向下到基片的路径;以接触孔介质材料填充接触孔;在第一金属化涂层上形成波导介质,以及与接触孔介质材料相接触;在波导介质上形成第二金属化涂层;形成第二金属化涂层、波导介质、和第一金属化涂层的图案,图案被做成使得具有接触孔介质材料的局部波导结构与波导介质相接触;以及在局部波导结构上形成第三金属化涂层,第三金属化被配置成规定金属化隔板,连接第一金属化涂层和第二金属化涂层,以及包围波导介质,以及规定波结构。
地址 荷兰艾恩德霍芬