| 摘要 |
一种半导体层结构，其包含由半导体材料制备的基材(1)，基材(1)上设置了由第二半导体材料制备的层(2)，还有富含杂质原子的区域(3)，该区域(3)被设置在层(2)中，或者在由层(2)与基材(1)之间的介面以下的特定深度，另外在富含杂质原子的区域(3)内有层(4)，该层(4)包含经由离子植入产生的空腔，此外有施用到层(2)上的至少一个磊晶层(6)，以及在包含空腔的层(4)内包含差排和叠差的缺陷区域(5)，该至少一个磊晶层(6)基本上没有裂缝，并且该至少一个磊晶层(6)的残余应力小于或等于1亿帕(GPa)。用于制备半导体层结构的方法，其包含以下步骤：(a)提供由半导体材料制备的基材(1)；(b)为了生产半导体层结构的目的，将由第二半导体材料制备的层(2)施用到该的基材(1)上；(c)为了在该半导体层结构中产生包含空腔的层(4)，将轻气体离子植入该半导体层结构中；(d)经由特定种类的杂质原子使该的空腔稳定；(e)将至少一个磊晶层(6)施用到该半导体层结构上。 |
