具有高移除速率和低缺陷率的对氧化物和氮化物有选择性的CMP组合物

摘要

本发明提供化学-机械抛光组合物，其含有：氧化铈研磨剂、一种或多种非离子型聚合物、任选的一种或多种膦酸、任选的一种或多种含氮两性离子化合物、任选的一种或多种磺酸共聚物、任选的一种或多种阴离子共聚物、任选的一种或多种包含季胺的聚合物、任选的一种或多种调节所述抛光组合物的pH的化合物、水、以及任选的一种或多种添加剂。本发明进一步提供利用本发明化学-机械抛光组合物化学-机械抛光基材的方法。典型地，所述基材含有氧化硅、氮化硅和/或多晶硅。

主权项

一种化学‑机械抛光组合物，其由以下组成：(a)氧化铈研磨剂，(b)选自如下的一种或多种非离子型聚合物：聚亚烷基二醇、聚醚胺、聚环氧乙烷/聚环氧丙烷共聚物、聚丙烯酰胺、聚乙烯基吡咯烷酮、硅氧烷聚环氧烷烃共聚物、经疏水改性的聚丙烯酸酯共聚物、亲水的非离子型聚合物、多醣、及其混合物，(c)吡啶甲酸，(d)任选的一种或多种膦酸，(e)任选的一种或多种磺酸共聚物，(f)一种或多种阴离子共聚物，(g)任选的一种或多种包含季胺的聚合物，(h)任选的一种或多种调节所述抛光组合物的pH的化合物，和(i)水。