| 发明名称 | 存储单元和用于制作存储器的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及用于形成存储单元(1)的方法，该存储单元包括存储数字信息的有机存储层(10)。所述方法在于，对多晶和单晶半导体结构进行加工，在此期间，在施加有机存储层(10)之前所述结构受到高温。 | ||
| 申请公布号 | CN100446183C | 申请公布日期 | 2008.12.24 |
| 申请号 | CN200480027575.7 | 申请日期 | 2004.07.21 |
| 申请人 | 因芬尼昂技术股份公司 | 发明人 | M·昆德;T·米科拉吉克;C·－U·平诺 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/8246(2006.01);H01L29/792(2006.01);H01L27/115(2006.01);H01L51/30(2006.01) | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 余刚;李丙林 |
| 主权项 | 1.一种用于制作包括半导体结构并具有存储单元(1)的存储器件(2)的方法，其中数字信息存储在存储层(10)中，在该方法中：-在半导体衬底(17)中形成通过沟道区(4)互相隔开的两个源/漏区(5)，-在所述半导体衬底(17)的衬底表面上，在所述沟道区(4)之上，制造栅极电介质(6)，并且-在所述栅极电介质(6)上设置第一栅电极(7a)，其中-在加工所述半导体结构结束之后，所述存储层(10)形成为设置在所述半导体结构之上的有机层，-在所述存储层(10)和所述第一栅电极(7a)之间提供导电连接(8)，且-在所述存储层(10)之上设置绝缘体层(18)，在所述绝缘体层(18)上设置第二栅电极(7b)。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||