PROCEDE ET DISPOSITIF POUR LA CRISTALLISATION DE MATERIAU SEMI-CONDUCTEUR EN FORME DE FEUILLE OU DE BANDE ET ELEMENT SEMI-CONDUCTEUR AINSI OBTENU

摘要

Procédé et. dispositif de fabrication d'une bande ou d'une feuille de cristal semi-conducteur. Une couche 15 de matériau semi-conducteur amorphe est déposée sur une bande flexible en matière plastique 11, par exemple en utilisant une décharge luminescente dans un plasma comprenant des composés du semi-conducteur à l'état gazeux. La bande 11 circule à vitesse constante dans l'enceinte de dépôt 14 et elle est séparée de la couche 15 à la sortie de l'enceinte 14. La bande de matériau semi-conducteur amorphe passe ensuite devant un dispositif de chauffage 16 où elle atteint sa température de cristallisation. La fabrication de dispositifs semi-conducteurs sur la bande de monocristal obtenue 17 peut s'effectuer en tandem avec ce processus de dépôt et de cristallisation. Application à la production en grande série de dispositifs semi-conducteurs de tout type.