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发明名称 Verfahren zum Abscheiden einer Schutzschicht aus Siliciumnitrid an der Oberfläche eines erhitzten Halbleiterkristalls
摘要
申请公布号 CH488290(A) 申请公布日期 1970.03.31
申请号 CH19670006152 申请日期 1967.04.28
申请人 SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT 发明人 DR. PAMMER,ERICH,DIPL.-CHEM.;FOLKMANN,EDUARD,DIPL.-ING.
分类号 C23C16/34;H01L21/311;H01L21/318;H01L23/29;(IPC1-7):H01L7/34;C23C11/14 主分类号 C23C16/34
代理机构 代理人
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