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<P>SUIVANT CE PROCEDE POUR IMPLANTER DES IONS DANS UNE CIBLE, UN FAISCEAU D'IONS EST DIRIGE VERS CELLE-CI A L'AIDE D'UN SYSTEME DE DEVIATION ELECTRO-STATIQUE, ET SUR LADITE CIBLE, CE FAISCEAU DECRIT UNE CONFIGURATION EN FONCTION DE LA VARIATION DE LA TENSION APPLIQUEE A DEUX JEUX ORTHOGONAUX DE PLAQUES DE DEVIATION. UN JEU DE PLAQUES RECOIT UNE DIFFERENCE DE TENSION VARIABLE TANDIS QUE L'AUTRE JEU RECOIT UNE DIFFERENCE DE TENSION CONSTANTE, DE SORTE QUE LE FAISCEAU DECRIT UNE LIGNE DROITE SUR LA CIBLE, TANDIS QU'A LA FIN DE LA COURSE DU FAISCEAU, LA DIFFERENCE DE TENSION CONSTANTE DUDIT AUTRE JEU EST AUGMENTEE D'UNE TENSION INVARIABLE CEPENDANT QUE LA VARIATION DE LA DIFFERENCE DE TENSION VARIABLE DU JEU CITE EN PREMIER LIEU EST INVERSEE, DE SORTE QUE LES LIGNES SUCCESSIVES DECRITES PAR LE FAISCEAU SUR LA CIBLE SONT TOUJOURS PARALLELES ET EQUIDISTANTES.</P><P>APPLICATION A LA REALISATION D'APPAREILS D'IMPLANTATION D'IONS.</P>
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