非挥发性记忆体及其制造方法与操作方法

摘要

一种非挥发性记忆体，包括多数个记忆胞行。各记忆胞行设置于n型基底上，并由彼此无间隙的串联连接在一起多个记忆胞所构成。深p型井区设置于n型基底中。n型井区设置于深p型井区上。浅p型井区设置于n型井区上，且由元件隔离结构隔离。选择单元设置于记忆胞行一侧。n型源极区设置于选择单元外侧之n型基底中。n型汲极区设置于记忆胞行另一侧的n型基底中。位元线设置于n型基底上，并透过导电插塞连接n型汲极区。导电插塞并贯穿n型汲极区与浅p型井区之接面，使两者短路连接在一起。