| 发明名称 | 高频半导体开关 | ||
| 摘要 | 本发明目的为提供在栅极线上形成良好的电压分布而提高了插入损耗特性及谐波特性的高频半导体开关。本发明的场效应晶体管作为包含在用于无线通信切换的高频半导体开关的场效应晶体管(50)，包括：源极线(60)；漏极线(70)；具有在源极线(60)及漏极线(70)之间与源极线(60)及漏极线(70)大致平行地延伸的平行部分(122)的栅极(120)；用于向栅极(120)施加电压的栅极线(80)；电连接栅极(120)及栅极线(80)的栅极通路(82)。并且平行部分(122)具有两个端部(126)，且从栅极通路(82)向两个端部(126)分别形成电压的施加路径。 | ||
| 申请公布号 | CN103219365B | 申请公布日期 | 2016.06.22 |
| 申请号 | CN201210017775.0 | 申请日期 | 2012.01.19 |
| 申请人 | 三星电机株式会社 | 发明人 | 杉浦毅 |
| 分类号 | H01L29/41(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/41(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人 | 金光军;马翠平 |
| 主权项 | 一种场效应晶体管，所述场效应晶体管包含用于进行无线通信切换的高频半导体开关，包括：源极线，所述源极线与形成在基板上的源极区域电连接，并向一个方向延伸；漏极线，所述漏极线与形成在基板上的漏极区域电连接，并与所述源极线平行地延伸；栅极，所述栅极具有在所述源极线及所述漏极线之间与所述源极线及所述漏极线平行地延伸的平行部分；栅极线，用于向所述栅极施加电压；以及栅极通路，所述栅极通路使得所述栅极及所述栅极线电连接，并且所述平行部分具有两个端部，且从所述栅极通路向所述两个端部分别形成电压施加路径，其中，所述两个端部分别远离栅极通路。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||