发明名称 SUBSTRATE INCLUDING GALLIUM NITRIDE LAYER AND PROCESS FOR MANUFACTURING SAME
摘要 질화갈륨층을 갖는 기판에 있어서, 질화갈륨층의 표면 처리 후의 표면 손상을 저감하여, 그 위에 형성하는 기능 소자의 품질을 개선한다. 적어도 질화갈륨층을 갖는 기판(4)을 제공한다. 유도 결합식 플라즈마 발생 장치를 구비한 플라즈마 에칭 장치를 이용하며, 규격화된 직류 바이어스 전위를 -10 V/㎠ 이상으로 하여 불소계 가스를 도입하여, 질화갈륨층(3)의 표면(3a)을 드라이 에칭 처리한다.
申请公布号 KR20160077222(A) 申请公布日期 2016.07.01
申请号 KR20167016211 申请日期 2014.12.12
申请人 NGK INSULATORS, LTD. 发明人 HIGASHIHARA SHUHEI;IWAI MAKOTO;IMAI KATSUHIRO
分类号 H01L33/02;C30B29/38;C30B33/12;H01J37/32;H01L21/304;H01L21/306;H01L21/3065;H01L33/00 主分类号 H01L33/02
代理机构 代理人
主权项
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