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发明名称 TRENCH GATE METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR
摘要
申请公布号 KR0173111(B1) 申请公布日期 1999.02.01
申请号 KR19890007221 申请日期 1989.05.30
申请人 SEIKO EPSON CORPORATION 发明人 IWAMATSU, SEIICHI
分类号 H01L21/76;H01L29/04;H01L29/78;H01L29/94;(IPC1-7):H01L29/94 主分类号 H01L21/76
代理机构 代理人
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