光阻及蚀刻残留物之低压移除

摘要

本发明提供一种低压电浆灰化之方法，以去除先前在介电层之电浆蚀刻期间所形成的光阻残留以及蚀刻残留物。该灰化方法系利用包含含氧气体的两步骤电浆制程，其中除了蚀刻有害氟碳化合物残留并自处理室表面去除该氟碳化合物以外，在第一清理步骤中，将低或者零偏压施加至基板，以自基板去除大量的光阻残留以及蚀刻残留物。在第二清理步骤中，将增强偏压施加于基板，以自基板去除光阻残留以及蚀刻残留物。在第二清理步骤中系采用低于20mTorr的处理室压力。该两步骤制程降低了在知单一步骤灰化制程中普遍观察到的记忆效应。可利用端点侦测法来监测该灰化制程。