非挥发性记忆体及其制造方法

摘要

一种非挥发性记忆体，由基底、辅助闸极结构、字元线、浮置闸极、穿隧介电层、闸间介电层与源极区／汲极区所构成。辅助闸极结构设置于基底上，且辅助闸极结构的底部宽度大于顶部宽度。浮置闸极设置于辅助闸极结构之一侧，且位于字元线与基底之间，浮置闸极的底部宽度小于顶部宽度。字元线、浮置闸极与辅助闸极结构构成一记忆单元。穿隧介电层设置于浮置闸极与基底之间。闸间介电层设置于字元线、浮置闸极与辅助闸极结构之间。源极区／汲极区设置于记忆单元两侧的基底中。